新利体育luck18：晶湛半导体申请一种半导体结构专利，大幅提升器件特性

金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，无锡晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构”的专利，公开号CN 119069507 A，申请日期为2023年5月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构，包括：依次层叠设置的支撑衬底、埋层、生长衬底、缓冲层以及异质结结构层；其中，生长衬底远离支撑衬底的一侧包括多个凹槽，缓冲层完全覆盖生长衬底的表面。本公开设置具有凹槽的生长衬底，一方面可以阻断射频信号导致的生长衬底中的寄生电路，降低生长衬底的串扰作用，从而减小射频损耗，另一方面，缓冲层从生长衬底凹槽内通过侧向外延技术形成，可以大幅地降低外延层中的位错密度，提高晶体质量，从而提升器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性51漫画。

本文源自金融界