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新利体育luck18:芯片制造主要过程及相关企业

发布日期:2024-12-29 10:08 浏览次数:

半导体器件(Semiconductor Products):主要分为集成电路、分立器件、光电器件传感器四类。集成电路(IC)在半导体产品中占比超过80%。

  • 半导体(Semiconductor):是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,常见的半导体材料涉及硅、锗、砷化镓、碳化硅、氮化镓等。
  • 集成电路(Integrated Circuit,IC):是指通过一系列特定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻器、电容器等无源元件,按照一定的电路互联,“集成”在半导体晶片上,封装在一个外壳内,执行特定功能的电路或系统。
  • 芯片(Chip):主要包含集成电路( CPU、GPU、FPGA、ASIC、存储器、MCU、电源管理芯片等)、光电子芯片、功率半导体芯片、MEMS芯片等。
新利体育luck18:芯片制造主要过程及相关企业(图1)

半导体器件的分类

分立器件是未封装集成的独立器件,如TO管座管帽封装二极管,三极管,整流二极管和功率二极管等,利用一定的布线和制造工艺将分立器件整合在基板上制成的电路我们把它称之为集成电路

新利体育luck18:芯片制造主要过程及相关企业(图2)

传感器的应用无处不在,我们常见的传感器有大气监测传感器,楼道的烟雾传感器及汽车内部的温度传感器等,按照其应用途径及原理可以划分为物理传感器,化学传感器和生物传感器;

光电子器件主要包含光器件、受光器件和光复合器件,例如我们常见的LED和OLED,光纤以及一些激光发射器等都属于光电器件。

按照电路功能和结构的不同,可以划分为模拟电路,微处理器,逻辑电路存储器等。

新利体育luck18:芯片制造主要过程及相关企业(图3)

集成电路的分类

半导体功率器件主要包括功率分立器件、功率模组功率集成电路(功率 IC)

功率分立器件主要包括:功率二极管、功率晶体管、晶闸管类器件。

  • 其中常见的功率晶体管包括以 VDMOS 为代表的功率 MOS 器件、绝缘栅双极晶体管 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistors)和功率双极晶体管(Power BJT:Power Bipolar Junction Transistors)。

功率晶体管和晶闸管又可统称为功率开关器件(Power Switches)。

新利体育luck18:芯片制造主要过程及相关企业(图4)

功率半导体器件51漫画

IGBT:是 Insulated Gate Bipolar Transistor 的缩写,即绝缘栅双极型晶体管。 它是由 BJT 和 MOSFET 组成的复合功率半导体器件,既有 MOSFET 的开关速度 高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点,又有 BJT 导 通电压低、通态电流大、损耗小的优点,在高压、大电流、高速等方面是其他功 率器件不能比拟的,因而是电力电子领域较为理想的开关器件,是未来应用发展的主要方向。

作为工业控制及自动化领域的核心器件,IGBT 模块在电机节能、轨道交通、 智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等诸多领 域都有广泛的应用。随着新能源汽车的发展以及变频白色家电的普及,IGBT 的 市场热度持续升温51漫画。它不仅在工业应用中提高了设备的自动化水平、控制精度等, 也大幅提高了电能的应用效率,同时减小了产品体积和重量,节约了材料,有利于建设节约型社会。

新利体育luck18:芯片制造主要过程及相关企业(图5)

2017 年度 IGBT 模块供应商全球市 场份额排名


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